半導体デバイス入門

半導体デバイス入門

  • 電子書籍有り
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  • 発売日: 2010/12/06
  • 著者: 大豆生田利章
  • 判型: B5
  • 頁: 252
  • ISBN: 978-4-485-30213-2
  • 定価: 3,080円(税込)
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コンピュータをはじめとする現在の電子機器は半導体を用いた回路素子、つまり半導体デバイス(半導体素子)なしでは存在できません。

そのために電子機器の動作の理解や設計のためには、半導体デバイスの基本的動作を理解することが必要です。

このテキストは電子工学に関する分野を学ぼうとしている学生を対象に、高度な物理学や数学の知識を用いずに、半導体デバイスに関する基礎知識を説明することを目的に書かれています。

まえがき

 

第1章 半導体の性質 ー基礎編ー

抵抗率と導電率

半導体の分類

共有結合とキャリヤ

エネルギー帯

真性半導体と不純物半導体

導電率とキャリア密度

フェルミエネルギー

章末問題

 

第2章 ダイオード

pn接合ダイオードの基本

空乏層と拡散電位

pn接合と電圧電圧電流特性

過剰キャリアと拡散電流

接合容量と可変容量ダイオード

降伏現象と定電圧ダイオード

章末問題

 

第3章 バイポーラトランジスタ

バイポーラトランジスタの構造

バイポーラトランジスタの動作原理

バイポーラトランジスタの電圧電流特性

バイポーラトランジスタの小信号動作

バイポーラトランジスタの小信号等価回路

バイポーラトランジスタの電流増幅率の周波数特性

バイポーラトランジスタの高周波等価回路

バイポーラトランジスタの大振幅動作

章末問題

 

第4章 電界効果トランジスタ

MOS形電界効果トランジスタの構造と動作原理

MIS構造の動作

MOSFETの電圧電流特性

エンハンスメント形FETとデプレション形FET

MOSFETの小信号動作と大振幅動作

MOSFETの小信号等価回路

短チャネル効果

接合形電界効果トランジスタ

ショットキー障壁形電界効果トランジスタ

章末問題

 

第5章 半導体集積回路

集積回路の分類

集積回路作製技術

バイポーラ集積回路

MOS集積回路

章末問題

 

第6章 光素子

受光素子

発光素子

章末問題

 

第7章 半導体メモリ

半導体メモリの分類と構成

SRAM

DRAM

マスクROM

EPROM

FEROM

フラッシュメモリ

章末問題

 

第8章 その他の半導体デバイス

電界効果素子

マイクロ波用半導体デバイス

電力用半導体デバイス

章末問題

 

第9章 半導体の性質 ー発展編ー

ホール効果

半導体中のキャリヤ密度

フェルミエネルギーと拡散電位

キャリヤ密度の温度依存性

固体中の電子の運動方程式

キャリヤの拡散方程式

章末問題

 

付録

A 各種定数

B 物理公式

C 偏微分

D 半導体デバイスの型名

E 半導体デバイスの最大定格

F JIS規格外の図記号

G エネルギー帯の形成

H 空乏層幅の導出

I 再結合によるキャリヤの平均寿命の導出

K ベース接地電流増幅率の導出

L アーリー電圧の導出

M Ebers-Mollモデル

N 小信号動作の微分パラメータ

O T形等価回路とhパラメータ

P ベース接地電流増幅率の周波数特性

Q ベース走行時間の導出

R エミッタ接地電流増幅率の周波数特性

S 拡散容量の導出

T 真性トランジスタの等価回路

U MOSFETのゲート・ソース間の容量の導出

V JFETの電圧電流特性導出

W バイポーラトランジスタの電流増幅率の電流依存性

X バイポーラトランジスタとFETの比較

Y 半導体デバイスの特性の実測例

Z 章末問題略解

 

参考文献

 

索引