まえがき

第1章　半導体の性質　ー基礎編ー
抵抗率と導電率
半導体の分類
共有結合とキャリヤ
エネルギー帯
真性半導体と不純物半導体
導電率とキャリア密度
フェルミエネルギー
章末問題

第2章　ダイオード
pn接合ダイオードの基本
空乏層と拡散電位
pn接合と電圧電圧電流特性
過剰キャリアと拡散電流
接合容量と可変容量ダイオード
降伏現象と定電圧ダイオード
章末問題

第3章　バイポーラトランジスタ
バイポーラトランジスタの構造
バイポーラトランジスタの動作原理
バイポーラトランジスタの電圧電流特性
バイポーラトランジスタの小信号動作
バイポーラトランジスタの小信号等価回路
バイポーラトランジスタの電流増幅率の周波数特性
バイポーラトランジスタの高周波等価回路
バイポーラトランジスタの大振幅動作
章末問題

第4章　電界効果トランジスタ
MOS形電界効果トランジスタの構造と動作原理
MIS構造の動作
MOSFETの電圧電流特性
エンハンスメント形FETとデプレション形FET
MOSFETの小信号動作と大振幅動作
MOSFETの小信号等価回路
短チャネル効果
接合形電界効果トランジスタ
ショットキー障壁形電界効果トランジスタ
章末問題

第5章　半導体集積回路
集積回路の分類
集積回路作製技術
バイポーラ集積回路
MOS集積回路
章末問題

第6章　光素子
受光素子
発光素子
章末問題

第7章　半導体メモリ
半導体メモリの分類と構成
SRAM
DRAM
マスクROM
EPROM
FEROM
フラッシュメモリ
章末問題

第8章　その他の半導体デバイス
電界効果素子
マイクロ波用半導体デバイス
電力用半導体デバイス
章末問題

第9章　半導体の性質　ー発展編ー
ホール効果
半導体中のキャリヤ密度
フェルミエネルギーと拡散電位
キャリヤ密度の温度依存性
固体中の電子の運動方程式
キャリヤの拡散方程式
章末問題

付録
A　各種定数
B　物理公式
C　偏微分
D　半導体デバイスの型名
E　半導体デバイスの最大定格
F　JIS規格外の図記号
G　エネルギー帯の形成
H　空乏層幅の導出
I　再結合によるキャリヤの平均寿命の導出
K　ベース接地電流増幅率の導出
L　アーリー電圧の導出
M　Ebers-Mollモデル
N　小信号動作の微分パラメータ
O　T形等価回路とhパラメータ
P　ベース接地電流増幅率の周波数特性
Q　ベース走行時間の導出
R　エミッタ接地電流増幅率の周波数特性
S　拡散容量の導出
T　真性トランジスタの等価回路
U　MOSFETのゲート・ソース間の容量の導出
V　JFETの電圧電流特性導出
W　バイポーラトランジスタの電流増幅率の電流依存性
X　バイポーラトランジスタとFETの比較
Y　半導体デバイスの特性の実測例
Z　章末問題略解

参考文献

索引